KSE13005H1A datasheet
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>> KSE13005H1A 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
KSE13005H1A
库存数量:
可订货
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
400 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
4 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
相关资料
属性
链接
代理商
KSE13005H1A
KSE13005H1ATU
KSE13005-H1ATU
KSE13005H1TU
KSE13005H2
KSE13005H2A
供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
广州市睿科电子科技有限公司
15975398125
曾小姐/汤小姐
深圳市诚达吉电子有限公司
13480615819
莫小姐
深圳市轩盛达电子有限公司
15889328483
陈
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
0754-84492320
陈先生
深圳市宝泰利科技有限公司
18306697305
黄喜平
KSE13005H1A 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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