买卖IC网 >> 产品目录 >> KSE13005H1A 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

KSE13005H1A

库存数量:可订货
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
制造商 Fairchild Semiconductor
配置
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO 700 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO 9 V
集电极—射极饱和电压 400 V
最大直流电集电极电流 4 A
增益带宽产品fT 4 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 10
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220
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供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
广州市睿科电子科技有限公司 15975398125 曾小姐/汤小姐
深圳市诚达吉电子有限公司 13480615819 莫小姐
深圳市轩盛达电子有限公司 15889328483
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司 0754-84492320 陈先生
深圳市宝泰利科技有限公司 18306697305 黄喜平
  • KSE13005H1A 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
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